我国首块八英寸IGBT芯片在湘下线—资讯—科学网

本报讯（记者成舸 通讯员刘亚鹏）6月20日，国首我国电力电子行业迎来一个具有里程碑意义的块英科学时刻。当天上午，芯下线在来自电力、片湘交通等领域的资讯多位院士专家见证下，中国南车宣布由其自主设计建造的国首国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线在湖南株洲全面建成并即将投产；同时，块英科学一块编号为00001的芯下线IGBT芯片被中国科技馆永久收藏。这标志着我国大功率电力电子技术的片湘研制和产业化取得重大突破，打破国外垄断，资讯跻身世界一流行列。国首

中国工程院院士丁荣军介绍，块英科学IGBT芯片技术从6英寸发展到8英寸不仅是芯下线量上的变化，更是片湘“质”的飞跃，其突破了新颖的资讯元胞与保护环设计、高能质子掺杂、芯片铜金属化工艺等关键技术，使芯片负载提高了50%，材料成本下降了20%，并改变了原有芯片生产模式。

由中国南车株洲所研制的这枚IGBT芯片，切面为圆形，布满128个小芯片，每块小芯片只有指甲盖大小，厚度仅两根头发丝，其内部包含了6万个以上被称为“元胞”的基本单元，可在数千伏高压下、约1秒时间内实现数万次电流开关动作，将风能、太阳能等不稳定的能源输入转换为稳定的电流输出。

IGBT，全称绝缘栅双极型晶体管，是用于电能转换和控制的核心器件，被誉为电力电子行业的“心脏”和现代变流工业“皇冠上的明珠”。现代电子技术发展至今，产生了两个分支，一是以向微型化发展的信息电子技术，以CPU为代表；二是向大功率发展的电力电子技术，以IGBT等为代表。长期以来，我国IGBT芯片及相关产品99%以上依赖进口。

据了解，中国南车集合上百位专家，积20余年之功，累计投入超过3亿元，在IGBT芯片设计、封装测试、可靠性试验、系统应用上攻克了30多项重大难题，最终全面掌握了该器件的成套技术，建立起完整的IGBT规模化、专业化生产工艺体系，实现了我国IGBT技术从弱到强的转变。