半导体材料专家梁骏吾院士逝世—新闻—科学网
发布时间：2024-05-15 10:08:44 作者：玩站小弟
我要评论作者：李苑 来源：光明日报 发布时间：2022/6/23 20:43:59
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| 作者：李苑 来源：光明日报 发布时间：2022/6/23 20:43:59 选择字号：小 中 大 | 半导体材料专家、半导中国工程院院士、体材中国科学院半导体所研究员梁骏吾，料专因病医治无效，家梁骏吾于2022年6月23日在北京逝世，院士享年89岁。逝世 梁骏吾，新闻1933年9月18日出生，科学湖北武汉人。半导1955年毕业于武汉大学，体材1956年至1960年在苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所攻读副博士学位，料专1960年获技术科学副博士学位。家梁骏吾 1997年当选为中国工程院院士。院士曾任中国电子学会半电子材料学分会主任、逝世名誉主任。新闻 梁骏吾是我国从事硅材料研究的元老级专家，在20世纪60年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964年制备出室温激光器用GaAs 液相外延材料。1979年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90年代初研究MOCVD生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。 梁骏吾一生与半导体材料科研事业相伴，他曾在采访中说，希望通过自己的科研经历，带给年轻科研人员一些启发，让他们看到这份事业可以有所作为，让他们觉得自己同样能够作出成绩。（光明日报全媒体记者李苑） 特别声明：本文转载仅仅是出于传播信息的需要，并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、网站或个人从本网站转载使用，须保留本网站注明的“来源”，并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，请与我们接洽。
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