研究人员发现硒化铟晶体具有出色的研究铟晶有出柔韧性

与多个机构和一个机构相关的一组研究人员发现，硒化铟半导体晶体具有出色的硒化性灵活性。该小组在《科学》杂志上发表的体具论文中描述了InSe的测试样品以及他们对该材料的了解。北京工业大学的研究铟晶有出韩晓东发表了一篇《观点》文章，概述了该团队在的人员柔韧工作。

正如研究人员所指出的发现那样，大多数半导体都是硒化性刚性的，这意味着它们很难在需要变化表面或弯曲的体具应用中使用。当便携式设备制造商试图响应用户对可弯曲电子设备的研究铟晶有出需求时，这已经成为一个问题。人员柔韧在这项新的发现研究中，的硒化性研究人员发现了一种半导体InSe，它不仅具有柔韧性，体具而且非常柔韧，可以用辊子加工。

顾名思义，InSe是由铟(一种常用于触摸屏的金属元素)和硒(一种非金属元素)制成的化合物。硒也是二维半导体，在研究人员发现其带隙与电磁波谱中的可见光区域相匹配后，硒就受到了严格的审查。以前已经研究过将其用于特殊的光电应用。在这项新工作中，研究人员研究了将其用作可弯曲便携式电子设备中的半导体的可能性。

在测试这种材料时，研究人员发现其在室温下的压缩应变约为80%。他们还发现，由大约10 5层材料制成的单个薄片仍然极易弯曲。附加测试表明，块状InSe在室温下的带隙约为1.26 eV，具有蜂窝状六边形晶体结构。其层通过Se-In-In-Se 共价键形成，并且这些层通过Se-Se Van der Waals相互作用保持在一起。也许最重要的是，研究人员发现，可以使用热机械轧制来批量生产这种材料，在这种轧机中，使用了一系列越来越小的轧辊将材料压扁并加宽成连续的薄板。

研究人员得出结论，认为InSe可能适用于开发下一代可变形甚至柔性电子设备。

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